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FP75R12KT4PB11BPSA1 y sus componentes
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FP75R12KT4PB11BPSA1 y sus componentes

FP75R12KT4PB11BPSA1 y sus componentes

Detalles del producto
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Los IGBT Módulos IGBT
Actual - colector (Ic) (máximo):
150 A
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montaje en chasis
Paquete:
Envases
Serie:
EconoPIMTM 3
Envase / estuche:
Módulo
Vce (encendido) (máximo) @ Vge, Ic:
2.15V @ 15V, 75A
Voltaje - avería del emisor del colector (máxima):
1200 V
Paquete de dispositivos del proveedor:
Módulo
El Sr.:
Tecnologías Infineon
Temperatura de funcionamiento:
-40°C ~ 150°C
Actual - atajo del colector (máximo):
1 mA
Tipo de IGBT:
Parada de campo del foso
Poder - máximo:
20 mW
Ingreso:
puente rectificador trifásico
Capacitancia entrada (Cies) @ Vce:
4.3 nF @ 25 V
Configuración:
Inversor trifásico
Termistor de NTC:
- ¿ Qué?
Número del producto de base:
FP75R12: las condiciones de los productos
Pago y términos de envío
Descripción
IGBT MOD 1200V 150A 20MW
Descripción de producto
Modulo IGBT Parada de campo de zanja Inverter de tres fases 1200 V 150 A 20 mW Modulo de montaje del chasis

Etiquetas:

Chip CI del transistor,

Microprocesador integrado,

Microprocesador integrado SMD

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