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NXH350N100H4Q2F2P1G
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NXH350N100H4Q2F2P1G

NXH350N100H4Q2F2P1G

Detalles del producto
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Los IGBT Módulos IGBT
Actual - colector (Ic) (máximo):
303 A
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montaje en chasis
Paquete:
Envases
Serie:
-
Envase / estuche:
Módulo
Vce (encendido) (máximo) @ Vge, Ic:
2.3V @ 15V, 375A
Voltaje - avería del emisor del colector (máxima):
1000 V
Paquete de dispositivos del proveedor:
El número de unidades de producción de los vehículos de la categoría M1 es el número de unidades de
El Sr.:
en semi
Temperatura de funcionamiento:
-40°C ~ 150°C (TJ)
Actual - atajo del colector (máximo):
1 mA
Tipo de IGBT:
Parada de campo del foso
Poder - máximo:
276 W
Ingreso:
Estándar
Capacitancia entrada (Cies) @ Vce:
24.146 nF @ 20 V
Configuración:
Inversor de tres niveles
Termistor de NTC:
- ¿ Qué?
Número del producto de base:
NXH350
Pago y términos de envío
Descripción
El módulo de IC PWR 1000V 350A PIM42
Descripción de producto
Módulo IGBT Parada de campo de zanja Inversor de tres niveles 1000 V 303 A 276 W Montado en el chasis 42-PIM/Q2PACK (93x47)

Etiquetas:

Chip CI del transistor,

Microprocesador integrado,

Microprocesador integrado SMD

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