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Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
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Se aplicará el método de ensayo de los datos de los datos de los datos de los datos de los datos.
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Detalles del producto
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Los IGBT Módulos IGBT
Actual - colector (Ic) (máximo):
350 A
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montaje en chasis
Paquete:
Envases
Serie:
EconoPACKTM+
Envase / estuche:
Módulo
Vce (encendido) (máximo) @ Vge, Ic:
2.3V @ 15V, 225A
Voltaje - avería del emisor del colector (máxima):
1700 V
Paquete de dispositivos del proveedor:
Módulo
El Sr.:
Tecnologías Infineon
Temperatura de funcionamiento:
-40°C ~ 150°C
Actual - atajo del colector (máximo):
3 mA
Tipo de IGBT:
Parada de campo del foso
Poder - máximo:
1450 W
Ingreso:
Estándar
Capacitancia entrada (Cies) @ Vce:
600 pF @ 25 V
Configuración:
Inversor trifásico
Termistor de NTC:
- ¿ Qué?
Número del producto de base:
Se aplicará el procedimiento siguiente:
Pago y términos de envío
Descripción
El número de módulos de transmisión de la unidad IGBT será el siguiente:
Descripción de producto
Modulo IGBT Parada de campo de zanja Inverter de tres fases 1700 V 350 A 1450 W Modulo de montaje del chasis

Etiquetas:

Chip CI del transistor,

Microprocesador integrado,

Microprocesador integrado SMD

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