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Las condiciones de las pruebas de seguridad se especifican en el anexo II.
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Detalles del producto
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Los IGBT Módulos IGBT
Actual - colector (Ic) (máximo):
220 A
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montaje en chasis
Paquete:
En bruto
Serie:
-
Envase / estuche:
El SP2
Vce (encendido) (máximo) @ Vge, Ic:
2.2V @ 15V, 150A
Voltaje - avería del emisor del colector (máxima):
1200 V
Paquete de dispositivos del proveedor:
El SP2
El Sr.:
Microsemi Corporation
Temperatura de funcionamiento:
-40°C ~ 175°C (TJ)
Actual - atajo del colector (máximo):
300 µA
Tipo de IGBT:
Parada de campo del foso
Poder - máximo:
750W
Ingreso:
Estándar
Capacitancia entrada (Cies) @ Vce:
9.3 nF @ 25 V
Configuración:
medio puente
Termistor de NTC:
- No, no lo sé.
Número del producto de base:
Las condiciones de los requisitos de seguridad
Pago y términos de envío
Descripción
Se aplicará el método de ensayo de la luz de la luz de la luz.
Descripción de producto
Módulo IGBT Trench Field Stop Medio puente 1200 V 220 A 750 W Montura del chasis SP2

Etiquetas:

Chip CI del transistor,

Microprocesador integrado,

Microprocesador integrado SMD

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