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A2P75S12M3
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A2P75S12M3

A2P75S12M3

Detalles del producto
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Los IGBT Módulos IGBT
Actual - colector (Ic) (máximo):
75 A
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montaje en chasis
Paquete:
Envases
Serie:
-
Envase / estuche:
Módulo
Vce (encendido) (máximo) @ Vge, Ic:
2.3V @ 15V, 75A
Voltaje - avería del emisor del colector (máxima):
1200 V
Paquete de dispositivos del proveedor:
AcepackTM 2
El Sr.:
STMicroelectrónica
Temperatura de funcionamiento:
-40°C ~ 150°C (TJ)
Actual - atajo del colector (máximo):
100 µA
Tipo de IGBT:
Parada de campo del foso
Poder - máximo:
454.5 W
Ingreso:
Estándar
Capacitancia entrada (Cies) @ Vce:
4.7 nF @ 25 V
Configuración:
Inversor trifásico
Termistor de NTC:
- ¿ Qué?
Número del producto de base:
A2P75
Pago y términos de envío
Descripción
Las emisiones de gases de efecto invernadero de los sistemas de control de emisiones de gases de efe
Descripción de producto
Módulo IGBT Parada de campo de zanja Inverter de tres fases 1200 V 75 A 454.5 W Montura del chasis ACEPACKTM 2

Etiquetas:

Chip CI del transistor,

Microprocesador integrado,

Microprocesador integrado SMD

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