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Las condiciones de las pruebas de seguridad se establecen en el anexo III.
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Detalles del producto
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Los IGBT Módulos IGBT
Actual - colector (Ic) (máximo):
305 A
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montaje en chasis
Paquete:
En bruto
Serie:
-
Envase / estuche:
SP6
Vce (encendido) (máximo) @ Vge, Ic:
2.2V @ 15V, 200A
Voltaje - avería del emisor del colector (máxima):
1200 V
Paquete de dispositivos del proveedor:
SP6
El Sr.:
Tecnología de microchips
Temperatura de funcionamiento:
-40°C ~ 175°C (TJ)
Actual - atajo del colector (máximo):
2mA
Tipo de IGBT:
Parada de campo del foso
Poder - máximo:
1000W
Ingreso:
Estándar
Capacitancia entrada (Cies) @ Vce:
12.3 nF @ 25 V
Configuración:
Inversor de tres niveles
Termistor de NTC:
- No, no lo sé.
Número del producto de base:
Las condiciones de los productos:
Pago y términos de envío
Descripción
Se aplicará el método de ensayo de las emisiones de gases de efecto invernadero.
Descripción de producto
Modulo IGBT Parada de campo de zanja Inverter de tres niveles 1200 V 305 A 1000 W Montura del chasis SP6

Etiquetas:

Chip CI del transistor,

Microprocesador integrado,

Microprocesador integrado SMD

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