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Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
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Detalles del producto
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Los IGBT Módulos IGBT
Actual - colector (Ic) (máximo):
80A
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montaje en chasis
Paquete:
En bruto
Serie:
-
Envase / estuche:
SP3
Vce (encendido) (máximo) @ Vge, Ic:
2.25V @ 15V, 50A
Voltaje - avería del emisor del colector (máxima):
1200 V
Paquete de dispositivos del proveedor:
SP3
El Sr.:
Tecnología de microchips
Temperatura de funcionamiento:
-40°C ~ 175°C (TJ)
Actual - atajo del colector (máximo):
µA 250
Tipo de IGBT:
Parada de campo del foso
Poder - máximo:
280 w
Ingreso:
Estándar
Capacitancia entrada (Cies) @ Vce:
2.77 nF @ 25 V
Configuración:
Helicóptero de doble impulso
Termistor de NTC:
- ¿ Qué?
Número del producto de base:
Las condiciones de los productos
Pago y términos de envío
Descripción
El valor de las emisiones de CO2 de los motores de combustión renovable es el valor de las emisiones
Descripción de producto
Modulo IGBT Parada de campo de zanja Helicóptero de doble impulso 1200 V 80 A 280 W Montura del chasis SP3

Etiquetas:

Chip CI del transistor,

Microprocesador integrado,

Microprocesador integrado SMD

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