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Los requisitos de seguridad de los equipos de ensayo deberán cumplirse en todos los casos.
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Los requisitos de seguridad de los equipos de ensayo deberán cumplirse en todos los casos.

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Detalles del producto
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Los IGBT Módulos IGBT
Actual - colector (Ic) (máximo):
50 A
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montaje en chasis
Paquete:
Envases
Serie:
-
Envase / estuche:
Módulo
Vce (encendido) (máximo) @ Vge, Ic:
2.3V @ 15V, 50A
Voltaje - avería del emisor del colector (máxima):
1200 V
Paquete de dispositivos del proveedor:
Las medidas de seguridad se aplicarán a los vehículos de las categorías M1 y M2.
El Sr.:
en semi
Temperatura de funcionamiento:
-40°C ~ 150°C (TJ)
Actual - atajo del colector (máximo):
200 µA
Tipo de IGBT:
Parada de campo del foso
Poder - máximo:
186 W
Ingreso:
Estándar
Capacitancia entrada (Cies) @ Vce:
9.075 nF @ 20 V
Configuración:
2 independiente
Termistor de NTC:
- No, no lo sé.
Número del producto de base:
NXH100
Pago y términos de envío
Descripción
El módulo IGBT 1200V 50A 186W PIM22
Descripción de producto
Modulo IGBT Parada de campo de zanja 2 Independiente 1200 V 50 A 186 W Chasis montado 22-PIM/Q0BOOST (55x32.5)

Etiquetas:

Chip CI del transistor,

Microprocesador integrado,

Microprocesador integrado SMD

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