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FP200R12N3T7BPSA1
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FP200R12N3T7BPSA1

FP200R12N3T7BPSA1

Detalles del producto
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Los IGBT Módulos IGBT
Actual - colector (Ic) (máximo):
200 A
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montaje en chasis
Paquete:
Envases
Serie:
¿Qué es lo que está pasando?
Envase / estuche:
Módulo
Vce (encendido) (máximo) @ Vge, Ic:
1.55V @ 15V, 200A
Voltaje - avería del emisor del colector (máxima):
1200 V
Paquete de dispositivos del proveedor:
Se trata de un proyecto de investigación.
El Sr.:
Tecnologías Infineon
Temperatura de funcionamiento:
-40°C ~ 175°C (TJ)
Actual - atajo del colector (máximo):
µA 20
Tipo de IGBT:
Parada de campo del foso
Poder - máximo:
20 mW
Ingreso:
puente rectificador trifásico
Capacitancia entrada (Cies) @ Vce:
40.3 nF @ 25 V
Configuración:
Inversor trifásico con el freno
Termistor de NTC:
- ¿ Qué?
Número del producto de base:
FP200R12
Pago y términos de envío
Descripción
La energía de los motores de combustión interna es muy baja.
Descripción de producto
Modulo IGBT Parada de campo de zanja Inverter de tres fases con freno 1200 V 200 A 20 mW Montado del chasis AG-ECONO3B

Etiquetas:

Chip CI del transistor,

Microprocesador integrado,

Microprocesador integrado SMD

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