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FZ1200R17HP4HOSA2
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FZ1200R17HP4HOSA2

FZ1200R17HP4HOSA2

Detalles del producto
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Los IGBT Módulos IGBT
Actual - colector (Ic) (máximo):
A 1200
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montaje en chasis
Paquete:
Envases
Serie:
El IHM-B
Envase / estuche:
Módulo
Vce (encendido) (máximo) @ Vge, Ic:
2.25V @ 15V, 1200A
Voltaje - avería del emisor del colector (máxima):
1700 V
Paquete de dispositivos del proveedor:
Módulo
El Sr.:
Tecnologías Infineon
Temperatura de funcionamiento:
-40°C ~ 150°C
Actual - atajo del colector (máximo):
5 mA
Tipo de IGBT:
Foso
Poder - máximo:
7800 W
Ingreso:
Estándar
Capacitancia entrada (Cies) @ Vce:
Las emisiones de dióxido de carbono
Configuración:
Solo interruptor
Termistor de NTC:
- No, no lo sé.
Número del producto de base:
FZ1200
Pago y términos de envío
Descripción
El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero se calculará en función de las emisiones de
Descripción de producto
Módulo de montaje de chasis de 1700 V 1200 A 7800 W

Etiquetas:

Chip CI del transistor,

Microprocesador integrado,

Microprocesador integrado SMD

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