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Los datos de las pruebas de seguridad de los equipos de ensayo de los equipos de ensayo de los equipos de ensayo de los equipos de ensayo de los equipos de ensayo de los equipos de ensayo de los equipos de ensayo.
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Detalles del producto
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Los IGBT Módulos IGBT
Actual - colector (Ic) (máximo):
610 A
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montaje en chasis
Paquete:
En bruto
Serie:
-
Envase / estuche:
Módulo D-3
Vce (encendido) (máximo) @ Vge, Ic:
2.2V @ 15V, 400A
Voltaje - avería del emisor del colector (máxima):
1200 V
Paquete de dispositivos del proveedor:
D3
El Sr.:
Tecnología de microchips
Temperatura de funcionamiento:
-40°C ~ 175°C (TJ)
Actual - atajo del colector (máximo):
5 mA
Tipo de IGBT:
Parada de campo del foso
Poder - máximo:
2080 W
Ingreso:
Estándar
Capacitancia entrada (Cies) @ Vce:
24.6 nF @ 25 V
Configuración:
medio puente
Termistor de NTC:
- No, no lo sé.
Número del producto de base:
Los datos de los datos de los Estados miembros.
Pago y términos de envío
Descripción
El valor de las emisiones de CO2 de los motores de combustión renovable será el valor de las emision
Descripción de producto
Módulo IGBT Trench Field Stop Puente medio 1200 V 610 A 2080 W Montado en el chasis D3

Etiquetas:

Chip CI del transistor,

Microprocesador integrado,

Microprocesador integrado SMD

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