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APT50GT120JU3
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APT50GT120JU3

APT50GT120JU3

Detalles del producto
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Los IGBT Módulos IGBT
Actual - colector (Ic) (máximo):
75 A
Estado del producto:
No está disponible
Tipo de montaje:
Montaje en chasis
Paquete:
En bruto
Serie:
-
Envase / estuche:
ISOTOP
Vce (encendido) (máximo) @ Vge, Ic:
2.1V @ 15V, 50A
Voltaje - avería del emisor del colector (máxima):
1200 V
Paquete de dispositivos del proveedor:
SOT-227
El Sr.:
Tecnología de microchips
Temperatura de funcionamiento:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Actual - atajo del colector (máximo):
5 mA
Tipo de IGBT:
Parada de campo del foso
Poder - máximo:
347 W
Ingreso:
Estándar
Capacitancia entrada (Cies) @ Vce:
3.6 nF @ 25 V
Configuración:
No casado
Termistor de NTC:
- No, no lo sé.
Pago y términos de envío
Descripción
Se aplicará el método de ensayo de la norma de la norma de la norma de la norma de la norma de la no
Descripción de producto
Módulo IGBT parada de campo de zanja única 1200 V 75 A 347 W montaje del chasis SOT-227

Etiquetas:

Chip CI del transistor,

Microprocesador integrado,

Microprocesador integrado SMD

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