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F4200R17N3E4BPSA1
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F4200R17N3E4BPSA1

F4200R17N3E4BPSA1

Detalles del producto
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Los IGBT Módulos IGBT
Actual - colector (Ic) (máximo):
200 A
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montaje en chasis
Paquete:
Envases
Serie:
EconoPACKTM 3
Envase / estuche:
Módulo
Vce (encendido) (máximo) @ Vge, Ic:
2.3V @ 15V, 200A
Voltaje - avería del emisor del colector (máxima):
1700 V
Paquete de dispositivos del proveedor:
Módulo
El Sr.:
Tecnologías Infineon
Temperatura de funcionamiento:
-40°C ~ 150°C (TJ)
Actual - atajo del colector (máximo):
1 mA
Tipo de IGBT:
Parada de campo del foso
Poder - máximo:
20 mW
Ingreso:
Estándar
Capacitancia entrada (Cies) @ Vce:
18 nF @ 25 V
Configuración:
Puente lleno
Termistor de NTC:
- ¿ Qué?
Número del producto de base:
F4200R17: las condiciones de los productos
Pago y términos de envío
Descripción
IGBT MOD 1700V 200A 20MW
Descripción de producto
Módulo IGBT Trench Field Stop Puente completo 1700 V 200 A 20 mW Módulo de montaje del chasis

Etiquetas:

Chip CI del transistor,

Microprocesador integrado,

Microprocesador integrado SMD

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