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Detalles del producto
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Los IGBT Módulos IGBT
Actual - colector (Ic) (máximo):
100 A
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montaje en chasis
Paquete:
En bruto
Serie:
-
Envase / estuche:
SP6
Vce (encendido) (máximo) @ Vge, Ic:
2.1V @ 15V, 75A
Voltaje - avería del emisor del colector (máxima):
1200 V
Paquete de dispositivos del proveedor:
Se aplican las siguientes condiciones:
El Sr.:
Tecnología de microchips
Temperatura de funcionamiento:
-40°C ~ 150°C (TJ)
Actual - atajo del colector (máximo):
µA 250
Tipo de IGBT:
Parada de campo del foso
Poder - máximo:
350 W
Ingreso:
Estándar
Capacitancia entrada (Cies) @ Vce:
5.34 nF @ 25 V
Configuración:
Trifásico
Termistor de NTC:
- No, no lo sé.
Número del producto de base:
- ¿Qué es eso?
Pago y términos de envío
Descripción
El módulo IGBT 1200V 100A 350W SP6P
Descripción de producto
Módulo IGBT Parada de campo de zanja de tres fases 1200 V 100 A 350 W Montura del chasis SP6-P

Etiquetas:

Chip CI del transistor,

Microprocesador integrado,

Microprocesador integrado SMD

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