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PDTC123TT,235
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PDTC123TT,235

PDTC123TT,235

Detalles del producto
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Bipolaridad (BJT) Transistores bipolares de un s
Actual - colector (Ic) (máximo):
100 mA
Estado del producto:
Actividad
Tipo del transistor:
NPN - Pre-en polarización negativa
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Serie:
-
Saturación de Vce (máxima) @ Ib, Ic:
Las emisiones de dióxido de carbono de los combustibles fósiles y de los combustibles fósiles de los
Voltaje - avería del emisor del colector (máxima):
50 V
Paquete de dispositivos del proveedor:
TO-236AB
Resistor - base (R1):
2,2 kOhms
El Sr.:
Nexperia los USA Inc.
Actual - atajo del colector (máximo):
1µA
Poder - máximo:
250 mW
Envase / estuche:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Aumento actual de DC (hFE) (minuto) @ Ic, Vce:
30 @ 20mA, 5V
Número del producto de base:
PDTC123 y
Pago y términos de envío
Las existencias
En stock
Método de envío
Las condiciones de los servicios de transporte aéreo y de transporte aéreo
Descripción
Trans Prebias NPN 250 MW a 236 AB
Condiciones de pago
Las condiciones de los productos incluidos en el presente Reglamento son las siguientes:
Descripción de producto
Transistor bipolar Pre-en polarización negativa (BJT) NPN - 50 V Pre-en polarización negativa 100 mA soporte superficial TO-236AB de 250 mW

Etiquetas:

Chip CI del transistor,

Microprocesador integrado,

Microprocesador integrado SMD

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