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RN2104MFV,L3XHF(CT
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RN2104MFV,L3XHF(CT

RN2104MFV,L3XHF(CT

Detalles del producto
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Bipolaridad (BJT) Transistores bipolares de un s
Actual - colector (Ic) (máximo):
100 mA
Estado del producto:
Actividad
Tipo del transistor:
PNP - Prejuiciado
Frecuencia - transición:
250 MHz
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Cintas y bobinas (TR) Banda cortante (TC) Digi-Reel®
Serie:
Automotriz, AEC-Q101
Saturación de Vce (máxima) @ Ib, Ic:
Las emisiones de dióxido de carbono de los combustibles fósiles de los combustibles fósiles de los c
Voltaje - avería del emisor del colector (máxima):
50 V
Paquete de dispositivos del proveedor:
VESM
Resistor - base (R1):
47 kOhms
El Sr.:
Semiconductor y almacenamiento de Toshiba
Resistor - base del emisor (R2):
47 kOhms
Actual - atajo del colector (máximo):
500nA
Poder - máximo:
150 mW
Envase / estuche:
SOT-723
Aumento actual de DC (hFE) (minuto) @ Ic, Vce:
80 @ 10mA, 5V
Número del producto de base:
RN2104
Pago y términos de envío
Las existencias
En stock
Método de envío
Las condiciones de los servicios de transporte aéreo y de transporte aéreo
Descripción
El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero es el valor de las emisiones de gases de ef
Condiciones de pago
Las condiciones de los productos incluidos en el presente Reglamento son las siguientes:
Descripción de producto
Transistores bipolares prebiasados (BJT) PNP - VESM de montaje superficial prebiasado 50 V 100 mA 250 MHz 150 mW

Etiquetas:

Chip CI del transistor,

Microprocesador integrado,

Microprocesador integrado SMD

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