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PDTA115TMB,315
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PDTA115TMB,315

PDTA115TMB,315

Detalles del producto
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Bipolaridad (BJT) Transistores bipolares de un s
Actual - colector (Ic) (máximo):
100 mA
Estado del producto:
Actividad
Tipo del transistor:
PNP - Prejuiciado
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Frecuencia - transición:
180 megaciclos
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Serie:
Automotriz, AEC-Q100
Saturación de Vce (máxima) @ Ib, Ic:
Las emisiones de gases de efecto invernadero de las instalaciones eléctricas de los Estados miembros
Voltaje - avería del emisor del colector (máxima):
50 V
Paquete de dispositivos del proveedor:
DFN1006B-3
Resistor - base (R1):
100 kOhms
El Sr.:
Nexperia los USA Inc.
Actual - atajo del colector (máximo):
1µA
Poder - máximo:
250 mW
Envase / estuche:
3-XFDFN
Aumento actual de DC (hFE) (minuto) @ Ic, Vce:
Se aplicarán las siguientes medidas:
Número del producto de base:
El PDTA115
Pago y términos de envío
Las existencias
En stock
Método de envío
Las condiciones de los servicios de transporte aéreo y de transporte aéreo
Descripción
Trans Prebias PNP 50V DFN1006B-3
Condiciones de pago
Las condiciones de los productos incluidos en el presente Reglamento son las siguientes:
Descripción de producto
Transistor bipolar pre-biasado (BJT) PNP - Pre-biasado 50 V 100 mA 180 MHz 250 mW Monte de superficie DFN1006B-3

Etiquetas:

Chip CI del transistor,

Microprocesador integrado,

Microprocesador integrado SMD

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