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RN1115MFV, L3F
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RN1115MFV, L3F

RN1115MFV, L3F

Detalles del producto
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Bipolaridad (BJT) Transistores bipolares de un s
Actual - colector (Ic) (máximo):
100 mA
Estado del producto:
No para nuevos diseños
Tipo del transistor:
NPN - Pre-en polarización negativa
Frecuencia - transición:
250 MHz
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Cintas y bobinas (TR) Banda cortante (TC) Digi-Reel®
Serie:
-
Saturación de Vce (máxima) @ Ib, Ic:
Las emisiones de dióxido de carbono de los combustibles fósiles se calcularán en función de las emis
Voltaje - avería del emisor del colector (máxima):
50 V
Paquete de dispositivos del proveedor:
VESM
Resistor - base (R1):
2,2 kOhms
El Sr.:
Semiconductor y almacenamiento de Toshiba
Resistor - base del emisor (R2):
10 kOhms
Actual - atajo del colector (máximo):
500nA
Poder - máximo:
150 mW
Envase / estuche:
SOT-723
Aumento actual de DC (hFE) (minuto) @ Ic, Vce:
50 @ 10mA, 5V
Número del producto de base:
RN1115
Pago y términos de envío
Las existencias
En stock
Método de envío
Las condiciones de los servicios de transporte aéreo y de transporte aéreo
Descripción
Las emisiones de gases de efecto invernadero se calcularán en función de las emisiones de gases de e
Condiciones de pago
Las condiciones de los productos incluidos en el presente Reglamento son las siguientes:
Descripción de producto
Transistores bipolares prebiasados (BJT) NPN - VESM de montaje superficial prebiasado 50 V 100 mA 250 MHz 150 mW

Etiquetas:

Chip CI del transistor,

Microprocesador integrado,

Microprocesador integrado SMD

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