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PBRN113ZT-QR
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PBRN113ZT-QR

PBRN113ZT-QR

Detalles del producto
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Bipolaridad (BJT) Transistores bipolares de un s
Actual - colector (Ic) (máximo):
600 mA
Estado del producto:
Actividad
Tipo del transistor:
NPN - Pre-en polarización negativa
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Serie:
Automotriz, AEC-Q101
Saturación de Vce (máxima) @ Ib, Ic:
1.15V @ 8mA, 800mA
Voltaje - avería del emisor del colector (máxima):
40 V
Paquete de dispositivos del proveedor:
TO-236AB
Resistor - base (R1):
kOhms 1
El Sr.:
Nexperia los USA Inc.
Resistor - base del emisor (R2):
10 kOhms
Actual - atajo del colector (máximo):
500nA
Poder - máximo:
250 mW
Envase / estuche:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Aumento actual de DC (hFE) (minuto) @ Ic, Vce:
Las emisiones de CO2 de los motores de combustión renovable se calcularán de acuerdo con el método d
Número del producto de base:
PBRN113
Pago y términos de envío
Las existencias
En stock
Método de envío
Las condiciones de los servicios de transporte aéreo y de transporte aéreo
Descripción
PBRN113ZT-Q/SOT23/TO-236AB: el número de unidades de producción y el número de unidades de producció
Condiciones de pago
Las condiciones de los productos incluidos en el presente Reglamento son las siguientes:
Descripción de producto
Transistores bipolares (BJT) NPN - 40 V 600 mA 250 mW con montaje de superficie previo al sesgo

Etiquetas:

Chip CI del transistor,

Microprocesador integrado,

Microprocesador integrado SMD

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