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Detalles del producto
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Bipolaridad (BJT) Transistores bipolares de un s
Actual - colector (Ic) (máximo):
500 mA
Estado del producto:
No está disponible
Tipo del transistor:
NPN - Pre-en polarización negativa
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
En bruto
Serie:
Se trata de un sistema de control de las emisiones de CO2
Saturación de Vce (máxima) @ Ib, Ic:
300mV @ 2.5mA, 50mA
Voltaje - avería del emisor del colector (máxima):
50 V
Paquete de dispositivos del proveedor:
TO-236AB
Resistor - base (R1):
2,2 kOhms
El Sr.:
Nexperia los USA Inc.
Resistor - base del emisor (R2):
10 kOhms
Actual - atajo del colector (máximo):
500nA
Poder - máximo:
250 mW
Envase / estuche:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Aumento actual de DC (hFE) (minuto) @ Ic, Vce:
70 @ 50mA, 5V
Número del producto de base:
Se trata de la PDTD123.
Pago y términos de envío
Las existencias
En stock
Método de envío
Las condiciones de los servicios de transporte aéreo y de transporte aéreo
Descripción
Se aplicará el método de evaluación de los resultados de los ensayos.
Condiciones de pago
Las condiciones de los productos incluidos en el presente Reglamento son las siguientes:
Descripción de producto
Transistores bipolares (BJT) pre-biasados NPN - pre-biasados 50 V 500 mA 250 mW Monte de superficie TO-236AB

Etiquetas:

Chip CI del transistor,

Microprocesador integrado,

Microprocesador integrado SMD

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