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Se trata de la TDTC114E,LM.
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Se trata de la TDTC114E,LM.

Se trata de la TDTC114E,LM.

Detalles del producto
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Bipolaridad (BJT) Transistores bipolares de un s
Actual - colector (Ic) (máximo):
100 mA
Estado del producto:
Actividad
Tipo del transistor:
NPN - Pre-en polarización negativa
Frecuencia - transición:
250 MHz
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Cintas y bobinas (TR) Banda cortante (TC) Digi-Reel®
Serie:
-
Saturación de Vce (máxima) @ Ib, Ic:
300mV @ 500µA, 10mA
Voltaje - avería del emisor del colector (máxima):
50 V
Paquete de dispositivos del proveedor:
SOT-23-3
Resistor - base (R1):
10 kOhms
El Sr.:
Semiconductor y almacenamiento de Toshiba
Resistor - base del emisor (R2):
10 kOhms
Actual - atajo del colector (máximo):
500nA
Poder - máximo:
320 mW
Envase / estuche:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Aumento actual de DC (hFE) (minuto) @ Ic, Vce:
30 @ 5mA, 5V
Número del producto de base:
TDCT114
Pago y términos de envío
Las existencias
En stock
Método de envío
Las condiciones de los servicios de transporte aéreo y de transporte aéreo
Descripción
Las emisiones de gases de efecto invernadero de los Estados miembros se calcularán en función de las
Condiciones de pago
Las condiciones de los productos incluidos en el presente Reglamento son las siguientes:
Descripción de producto
Transistor bipolar pre-biasado (BJT) NPN - Pre-biasado 50 V 100 mA 250 MHz 320 mW Montado de superficie SOT-23-3

Etiquetas:

Chip CI del transistor,

Microprocesador integrado,

Microprocesador integrado SMD

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