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Detalles del producto
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Bipolaridad (BJT) Transistores bipolares de un s
Actual - colector (Ic) (máximo):
100 mA
Estado del producto:
No está disponible
Tipo del transistor:
NPN - Pre-en polarización negativa
Frecuencia - transición:
230 megaciclos
Tipo de montaje:
Soporte superficial, lado mojable
Paquete:
Cintas y bobinas (TR) Banda cortante (TC) Digi-Reel®
Serie:
-
Saturación de Vce (máxima) @ Ib, Ic:
Las emisiones de dióxido de carbono de los combustibles fósiles se calcularán de acuerdo con el méto
Voltaje - avería del emisor del colector (máxima):
50 V
Paquete de dispositivos del proveedor:
Se trata de una serie de medidas de seguridad.
Resistor - base (R1):
10 kOhms
El Sr.:
Nexperia los USA Inc.
Resistor - base del emisor (R2):
10 kOhms
Actual - atajo del colector (máximo):
100nA
Poder - máximo:
360 mW
Envase / estuche:
Pad expuesto 3-XDFN
Aumento actual de DC (hFE) (minuto) @ Ic, Vce:
30 @ 5mA, 5V
Número del producto de base:
PDTC114
Pago y términos de envío
Las existencias
En stock
Método de envío
Las condiciones de los servicios de transporte aéreo y de transporte aéreo
Descripción
Se aplicará el procedimiento de ensayo de la norma de calidad de los productos.
Condiciones de pago
Las condiciones de los productos incluidos en el presente Reglamento son las siguientes:
Descripción de producto
Transistor bipolar pre-biasado (BJT) NPN - Pre-biasado 50 V 100 mA 230 MHz 360 mW Monte de superficie, flanco humedecible DFN1412D-3

Etiquetas:

Chip CI del transistor,

Microprocesador integrado,

Microprocesador integrado SMD

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