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PBRN123ET,215
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PBRN123ET,215

Detalles del producto
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Bipolaridad (BJT) Transistores bipolares de un s
Actual - colector (Ic) (máximo):
600 mA
Estado del producto:
Actividad
Tipo del transistor:
NPN - Pre-en polarización negativa
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Cintas y bobinas (TR) Banda cortante (TC) Digi-Reel®
Serie:
-
Saturación de Vce (máxima) @ Ib, Ic:
1.15V @ 8mA, 800mA
Voltaje - avería del emisor del colector (máxima):
40 V
Paquete de dispositivos del proveedor:
TO-236AB
Resistor - base (R1):
2,2 kOhms
El Sr.:
Nexperia los USA Inc.
Resistor - base del emisor (R2):
2,2 kOhms
Actual - atajo del colector (máximo):
500nA
Poder - máximo:
250 mW
Envase / estuche:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Aumento actual de DC (hFE) (minuto) @ Ic, Vce:
Se aplicarán las siguientes medidas:
Número del producto de base:
PBRN123
Pago y términos de envío
Las existencias
En stock
Método de envío
Las condiciones de los servicios de transporte aéreo y de transporte aéreo
Descripción
Se aplicará el método de cálculo de las emisiones de gases de efecto invernadero.
Condiciones de pago
Las condiciones de los productos incluidos en el presente Reglamento son las siguientes:
Descripción de producto
Transistores bipolares (BJT) NPN - 40 V 600 mA 250 mW con montaje de superficie previo al sesgo

Etiquetas:

Chip CI del transistor,

Microprocesador integrado,

Microprocesador integrado SMD

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