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Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
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Detalles del producto
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Bipolaridad (BJT) Transistores bipolares de un s
Actual - colector (Ic) (máximo):
500 mA
Estado del producto:
Actividad
Tipo del transistor:
PNP - Prejuiciado
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Serie:
Automotriz, AEC-Q101
Saturación de Vce (máxima) @ Ib, Ic:
300mV @ 2.5mA, 50mA
Voltaje - avería del emisor del colector (máxima):
50 V
Paquete de dispositivos del proveedor:
TO-236AB
Resistor - base (R1):
2,2 kOhms
El Sr.:
Nexperia los USA Inc.
Resistor - base del emisor (R2):
10 kOhms
Actual - atajo del colector (máximo):
500nA
Poder - máximo:
250 mW
Envase / estuche:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Aumento actual de DC (hFE) (minuto) @ Ic, Vce:
70 @ 50mA, 5V
Número del producto de base:
PDTB123
Pago y términos de envío
Las existencias
En stock
Método de envío
Las condiciones de los servicios de transporte aéreo y de transporte aéreo
Descripción
Se aplicará el método de evaluación de la calidad de los productos.
Condiciones de pago
Las condiciones de los productos incluidos en el presente Reglamento son las siguientes:
Descripción de producto
Transistores bipolares (BJT) pre-biasados PNP - pre-biasados 50 V 500 mA 250 mW Monte de superficie TO-236AB

Etiquetas:

Chip CI del transistor,

Microprocesador integrado,

Microprocesador integrado SMD

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