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No obstante lo dispuesto en el apartado 1, los Estados miembros podrán autorizar el uso de las mismas.
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Detalles del producto
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Bipolaridad (BJT) Transistores bipolares de un s
Actual - colector (Ic) (máximo):
800 mA
Estado del producto:
Actividad
Tipo del transistor:
NPN - Pre-en polarización negativa
Frecuencia - transición:
300 MHz
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Cintas y bobinas (TR) Banda cortante (TC) Digi-Reel®
Serie:
-
Saturación de Vce (máxima) @ Ib, Ic:
250 mV @ 2mA, 50 mA
Voltaje - avería del emisor del colector (máxima):
50 V
Paquete de dispositivos del proveedor:
S-mini
Resistor - base (R1):
kOhms 1
El Sr.:
Semiconductor y almacenamiento de Toshiba
Resistor - base del emisor (R2):
kOhms 1
Actual - atajo del colector (máximo):
500nA
Poder - máximo:
200 mW
Envase / estuche:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Aumento actual de DC (hFE) (minuto) @ Ic, Vce:
60 @ 100mA, 1V
Número del producto de base:
No incluidos en la lista
Pago y términos de envío
Las existencias
En stock
Método de envío
Las condiciones de los servicios de transporte aéreo y de transporte aéreo
Descripción
Trans Prebias NPN 50V 0,8A SMINI
Condiciones de pago
Las condiciones de los productos incluidos en el presente Reglamento son las siguientes:
Descripción de producto
Transistor bipolar pre-biasado (BJT) NPN - Pre-biasado 50 V 800 mA 300 MHz 200 mW Monte de superficie S-Mini

Etiquetas:

Chip CI del transistor,

Microprocesador integrado,

Microprocesador integrado SMD

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