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Se trata de la NTE2359.
  • Se trata de la NTE2359.
Se trata de la NTE2359.

Se trata de la NTE2359.

Detalles del producto
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Bipolaridad (BJT) Transistores bipolares de un s
Actual - colector (Ic) (máximo):
100 mA
Estado del producto:
Actividad
Tipo del transistor:
NPN - Pre-en polarización negativa
Frecuencia - transición:
250 MHz
Tipo de montaje:
A través del agujero
Paquete:
bolso
Serie:
-
Saturación de Vce (máxima) @ Ib, Ic:
Las emisiones de dióxido de carbono de los combustibles fósiles se calcularán en función de las emis
Voltaje - avería del emisor del colector (máxima):
50 V
Paquete de dispositivos del proveedor:
TO-92S
Resistor - base (R1):
47 kOhms
El Sr.:
NTE Electronics, Inc
Resistor - base del emisor (R2):
47 kOhms
Actual - atajo del colector (máximo):
500nA
Poder - máximo:
300 mW
Envase / estuche:
TO-226-3, cuerpo del cortocircuito TO-92-3
Aumento actual de DC (hFE) (minuto) @ Ic, Vce:
50 @ 5mA, 5V
Número del producto de base:
NTE23
Pago y términos de envío
Las existencias
En stock
Método de envío
Las condiciones de los servicios de transporte aéreo y de transporte aéreo
Descripción
El valor de las emisiones de CO2 de los combustibles renovables se calculará en función de las emisi
Condiciones de pago
Las condiciones de los productos incluidos en el presente Reglamento son las siguientes:
Descripción de producto
Transistor bipolar pre-biasado (BJT) NPN - Pre-biasado 50 V 100 mA 250 MHz 300 mW a través del agujero TO-92S

Etiquetas:

Chip CI del transistor,

Microprocesador integrado,

Microprocesador integrado SMD

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