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RN2107MFV,L3XHF ((CT)
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RN2107MFV,L3XHF ((CT)

RN2107MFV,L3XHF ((CT)

Detalles del producto
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Bipolaridad (BJT) Transistores bipolares de un s
Actual - colector (Ic) (máximo):
100 mA
Estado del producto:
Actividad
Tipo del transistor:
PNP - Prejuiciado
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Cintas y bobinas (TR) Banda cortante (TC) Digi-Reel®
Serie:
Automotriz, AEC-Q101
Saturación de Vce (máxima) @ Ib, Ic:
Las emisiones de dióxido de carbono de los combustibles fósiles de los combustibles fósiles de los c
Voltaje - avería del emisor del colector (máxima):
50 V
Paquete de dispositivos del proveedor:
VESM
Resistor - base (R1):
10 kOhms
El Sr.:
Semiconductor y almacenamiento de Toshiba
Resistor - base del emisor (R2):
47 kOhms
Actual - atajo del colector (máximo):
500nA
Poder - máximo:
150 mW
Envase / estuche:
SOT-723
Aumento actual de DC (hFE) (minuto) @ Ic, Vce:
80 @ 10mA, 5V
Número del producto de base:
No incluidos en el anexo
Pago y términos de envío
Las existencias
En stock
Método de envío
Las condiciones de los servicios de transporte aéreo y de transporte aéreo
Descripción
El valor de las emisiones de CO2 es el valor de las emisiones de CO2 de los combustibles fósiles.
Condiciones de pago
Las condiciones de los productos incluidos en el presente Reglamento son las siguientes:
Descripción de producto
Transistores bipolares (BJT) pre-biasados PNP - VESM de montaje de superficie pre-biasado 50 V 100 mA 150 mW

Etiquetas:

Chip CI del transistor,

Microprocesador integrado,

Microprocesador integrado SMD

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