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PDTA113EM,315
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PDTA113EM,315

PDTA113EM,315

Detalles del producto
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Bipolaridad (BJT) Transistores bipolares de un s
Actual - colector (Ic) (máximo):
100 mA
Estado del producto:
Actividad
Tipo del transistor:
PNP - Prejuiciado
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Serie:
Automotriz, AEC-Q100
Saturación de Vce (máxima) @ Ib, Ic:
El valor de las emisiones de dióxido de carbono en el ensayo se calculará en función de las emisione
Voltaje - avería del emisor del colector (máxima):
50 V
Paquete de dispositivos del proveedor:
SOT-883
Resistor - base (R1):
kOhms 1
El Sr.:
Nexperia los USA Inc.
Resistor - base del emisor (R2):
kOhms 1
Actual - atajo del colector (máximo):
1µA
Poder - máximo:
250 mW
Envase / estuche:
SC-101, SOT-883
Aumento actual de DC (hFE) (minuto) @ Ic, Vce:
30 @ 40mA, 5V
Número del producto de base:
El PDTA113
Pago y términos de envío
Las existencias
En stock
Método de envío
Las condiciones de los servicios de transporte aéreo y de transporte aéreo
Descripción
Trans Prebias PNP 50V DFN1006-3
Condiciones de pago
Las condiciones de los productos incluidos en el presente Reglamento son las siguientes:
Descripción de producto
Transistores bipolares (BJT) pre-biasados PNP - pre-biasados 50 V 100 mA 250 mW Montaje de superficie SOT-883

Etiquetas:

Chip CI del transistor,

Microprocesador integrado,

Microprocesador integrado SMD

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