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Se trata de una prueba de la complejidad.
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Se trata de una prueba de la complejidad.

Se trata de una prueba de la complejidad.

Detalles del producto
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Bipolaridad (BJT) Transistores bipolares de un s
Actual - colector (Ic) (máximo):
100 mA
Estado del producto:
Actividad
Tipo del transistor:
PNP - Prejuiciado
Frecuencia - transición:
250 MHz
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Cintas y bobinas (TR) Banda cortante (TC) Digi-Reel®
Serie:
-
Saturación de Vce (máxima) @ Ib, Ic:
250 mV @ 2,5 mA, 50 mA
Voltaje - avería del emisor del colector (máxima):
50 V
Paquete de dispositivos del proveedor:
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.
Resistor - base (R1):
10 kOhms
El Sr.:
Diodos incorporados
Resistor - base del emisor (R2):
47 kOhms
Actual - atajo del colector (máximo):
500nA
Poder - máximo:
250 mW
Envase / estuche:
3-UFDFN
Aumento actual de DC (hFE) (minuto) @ Ic, Vce:
80 @ 5mA, 5V
Número del producto de base:
El DDTA114
Pago y términos de envío
Las existencias
En stock
Método de envío
Las condiciones de los servicios de transporte aéreo y de transporte aéreo
Descripción
Trans Prebias PNP 250 MW 3DFN
Condiciones de pago
Las condiciones de los productos incluidos en el presente Reglamento son las siguientes:
Descripción de producto
Transistor bipolar pre-biasado (BJT) PNP - Pre-biasado 50 V 100 mA 250 MHz 250 mW Monte de superficie X1-DFN1006-3

Etiquetas:

Chip CI del transistor,

Microprocesador integrado,

Microprocesador integrado SMD

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