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CGH25120F: el número de unidades de producción
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CGH25120F: el número de unidades de producción

CGH25120F: el número de unidades de producción

Detalles del producto
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET de RF y MOSFET
Estado del producto:
No para nuevos diseños
Tipo de montaje:
Montaje en chasis
Voltaje - clasificado:
84 V
Paquete:
Envases
Serie:
GaN
Figura de ruido:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
440162
Voltaje - prueba:
28 V
El Sr.:
Wolfspeed, Inc.
Frecuencia:
2.3 GHz ~ 2.7 GHz
Aumento:
12.5 dB
Envase / estuche:
440162
Actual - prueba:
500 mA
Poder - salida:
130W
Tecnología:
HEMT
Grado actual (amperios):
-
Número del producto de base:
CGH25120
Pago y términos de envío
Las existencias
En stock
Método de envío
Las condiciones de los servicios de transporte aéreo y de transporte aéreo
Descripción
120W GAN HEMT 28V 2.5-2.7 GHz FET
Condiciones de pago
Las condiciones de los productos incluidos en el presente Reglamento son las siguientes:
Descripción de producto
Mosfet de RF 28 V 500 mA 2,3 GHz ~ 2,7 GHz 12,5 dB 130 W 440162

Etiquetas:

Chip CI del transistor,

Microprocesador integrado,

Microprocesador integrado SMD

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