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CGH35060F2
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CGH35060F2

CGH35060F2

Detalles del producto
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET de RF y MOSFET
Estado del producto:
No está disponible
Tipo de montaje:
Montaje en chasis
Voltaje - clasificado:
125 V
Paquete:
Envases
Serie:
GaN
Figura de ruido:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
440193
Voltaje - prueba:
28 V
El Sr.:
Wolfspeed, Inc.
Frecuencia:
3.1 GHz ~ 3,5 GHz
Aumento:
13dB
Envase / estuche:
440193
Actual - prueba:
200 mA
Poder - salida:
47.6 dBm
Tecnología:
HEMT
Grado actual (amperios):
-
Número del producto de base:
CGH35060
Pago y términos de envío
Las existencias
En stock
Método de envío
Las condiciones de los servicios de transporte aéreo y de transporte aéreo
Descripción
60W GAN HEMT 28V 4,0GHz flanqueado
Condiciones de pago
Las condiciones de los productos incluidos en el presente Reglamento son las siguientes:
Descripción de producto
Mosfet de RF 28 V 200 mA 3,1 GHz ~ 3,5 GHz 13 dB 47,6 dBm 440193

Etiquetas:

Chip CI del transistor,

Microprocesador integrado,

Microprocesador integrado SMD

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