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Se aplicará el método de ensayo de la prueba de la velocidad.
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Se aplicará el método de ensayo de la prueba de la velocidad.

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Detalles del producto
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET de RF y MOSFET
Estado del producto:
Descatalogado en Digi-Key
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Voltaje - clasificado:
65 V
Paquete:
Envases
Configuración:
Fuente doble y común
Serie:
-
Figura de ruido:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
Se aplicará el código ISO/IEC 17046.
Voltaje - prueba:
32 V
El Sr.:
Ampleon los USA Inc.
Frecuencia:
1Las emisiones de gases de efecto invernadero se aplican a las emisiones de gases de efecto invernad
Aumento:
15.7dB
Envase / estuche:
Se trata de un proyecto de investigación.
Actual - prueba:
800 mA
Poder - salida:
400W
Tecnología:
ldmos
Grado actual (amperios):
2.8 μA
Número del producto de base:
BLC10
Pago y términos de envío
Las existencias
En stock
Método de envío
Las condiciones de los servicios de transporte aéreo y de transporte aéreo
Descripción
El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero se calculará en función de las emisiones de
Condiciones de pago
Las condiciones de los productos incluidos en el presente Reglamento son las siguientes:
Descripción de producto
Mosfet de RF 32 V 800 mA 1,805 GHz ~ 1,88 GHz 15,7 dB 400 W SOT1258-4

Etiquetas:

Chip CI del transistor,

Microprocesador integrado,

Microprocesador integrado SMD

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