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Se aplicará el procedimiento de ensayo de la prueba.
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Se aplicará el procedimiento de ensayo de la prueba.

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Detalles del producto
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET de RF y MOSFET
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Voltaje - clasificado:
125 V
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Serie:
GaN
Figura de ruido:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
H-37248C-4 y sus derivados
Voltaje - prueba:
48 voltios
El Sr.:
Wolfspeed, Inc.
Frecuencia:
2.49 GHz ~ 2.69 GHz
Aumento:
14dB
Envase / estuche:
H-37248C-4 y sus derivados
Actual - prueba:
200 mA
Poder - salida:
250 W
Tecnología:
HEMT
Grado actual (amperios):
-
Número del producto de base:
Se trata de una prueba de detección.
Pago y términos de envío
Las existencias
En stock
Método de envío
Las condiciones de los servicios de transporte aéreo y de transporte aéreo
Descripción
280W, GAN HEMT, 48V, 2496-2690MH
Condiciones de pago
Las condiciones de los productos incluidos en el presente Reglamento son las siguientes:
Descripción de producto
Mosfet de RF 48 V 200 mA 2,49 GHz ~ 2,69 GHz 14 dB 250 W H-37248C-4

Etiquetas:

Chip CI del transistor,

Microprocesador integrado,

Microprocesador integrado SMD

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