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BLF884P, 112
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BLF884P, 112

BLF884P, 112

Detalles del producto
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET de RF y MOSFET
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montaje en chasis
Voltaje - clasificado:
De tensión máxima igual o superior a:
Paquete:
Envases
Configuración:
Fuente doble y común
Serie:
-
Figura de ruido:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
LDMOST
Voltaje - prueba:
50 V
El Sr.:
Ampleon los USA Inc.
Frecuencia:
860MHz
Aumento:
21dB
Envase / estuche:
Se trata de un proyecto de investigación de la Comisión.
Actual - prueba:
650 mA
Poder - salida:
150 W
Tecnología:
ldmos
Grado actual (amperios):
-
Número del producto de base:
No se puede obtener información adicional.
Pago y términos de envío
Las existencias
En stock
Método de envío
Las condiciones de los servicios de transporte aéreo y de transporte aéreo
Descripción
FET LDMOS 104V 21DB SOT1121A del RF
Condiciones de pago
Las condiciones de los productos incluidos en el presente Reglamento son las siguientes:
Descripción de producto
RF Mosfet 50 V 650 mA 860MHz 21 dB 150W LDMOST

Etiquetas:

Chip CI del transistor,

Microprocesador integrado,

Microprocesador integrado SMD

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