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Se utilizará para la fabricación de los vehículos de la categoría M1 y M2.112
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Se utilizará para la fabricación de los vehículos de la categoría M1 y M2.112

Detalles del producto
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET de RF y MOSFET
Estado del producto:
No está disponible
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Voltaje - clasificado:
65 V
Paquete:
Envases
Configuración:
Fuente doble y común
Serie:
-
Figura de ruido:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
Se aplicará el código ISO/IEC 17046.
Voltaje - prueba:
28 V
El Sr.:
Ampleon los USA Inc.
Frecuencia:
2.3 GHz ~ 2.4 GHz
Aumento:
17.2 dB
Envase / estuche:
Se trata de un documento de expediente de la Comisión.
Actual - prueba:
1.74 A
Poder - salida:
60W
Tecnología:
ldmos
Grado actual (amperios):
-
Número del producto de base:
Se trata de un proyecto de investigación.
Pago y términos de envío
Las existencias
En stock
Método de envío
Las condiciones de los servicios de transporte aéreo y de transporte aéreo
Descripción
FET LDMOS 65V 17.2DB SOT539B del RF
Condiciones de pago
Las condiciones de los productos incluidos en el presente Reglamento son las siguientes:
Descripción de producto
Mosfet de RF 28 V 1,74 A 2,3 GHz ~ 2,4 GHz 17,2 dB 60 W SOT539B

Éntrenos en contacto con en cualquier momento

86--13825240555
609 no. 4018, camino baoan, calle de Xixiang, Baoan District, Shenzhen, Guangdong
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