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Se aplicará el método de ensayo de las pruebas de ensayo.
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Se aplicará el método de ensayo de las pruebas de ensayo.

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Detalles del producto
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET de RF y MOSFET
Estado del producto:
No para nuevos diseños
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Voltaje - clasificado:
65 V
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Configuración:
Fuente doble y común
Serie:
-
Figura de ruido:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
Se aplicarán las siguientes medidas:
Voltaje - prueba:
32 V
El Sr.:
Ampleon los USA Inc.
Frecuencia:
2,45 GHz
Aumento:
17.5 dB
Envase / estuche:
Se aplicarán las siguientes medidas:
Actual - prueba:
20 mA
Poder - salida:
300W
Tecnología:
ldmos
Grado actual (amperios):
-
Número del producto de base:
BLC2425
Pago y términos de envío
Las existencias
En stock
Método de envío
Las condiciones de los servicios de transporte aéreo y de transporte aéreo
Descripción
FET LDMOS 65V 17DB SOT12501 del RF
Condiciones de pago
Las condiciones de los productos incluidos en el presente Reglamento son las siguientes:
Descripción de producto
RF Mosfet 32 V 20 mA 2,45 GHz 17,5 dB 300W SOT1250-1

Etiquetas:

Chip CI del transistor,

Microprocesador integrado,

Microprocesador integrado SMD

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