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Se trata de un proyecto de investigación.
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Se trata de un proyecto de investigación.

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Detalles del producto
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET de RF y MOSFET
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Voltaje - clasificado:
108,0 V
Paquete:
Envases
Configuración:
Fuente doble y común
Serie:
-
Figura de ruido:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
Se aplicará el código ISO/IEC 17046.
Voltaje - prueba:
50 V
El Sr.:
Ampleon los USA Inc.
Frecuencia:
470 MHz ~ 700 MHz
Aumento:
20dB
Envase / estuche:
Se trata de un documento de expediente de la Comisión.
Actual - prueba:
600 mA
Poder - salida:
de una potencia de 1000 W
Tecnología:
ldmos
Grado actual (amperios):
2.8 μA
Número del producto de base:
Las condiciones de los contratos de trabajo
Pago y términos de envío
Las existencias
En stock
Método de envío
Las condiciones de los servicios de transporte aéreo y de transporte aéreo
Descripción
Se aplicará el procedimiento de ensayo de la norma de calidad de los productos.
Condiciones de pago
Las condiciones de los productos incluidos en el presente Reglamento son las siguientes:
Descripción de producto
Se trata de un sistema de transmisión por radio de 50 V 600 mA 470MHz ~ 700MHz 20 dB 1000W SOT539B

Etiquetas:

Chip CI del transistor,

Microprocesador integrado,

Microprocesador integrado SMD

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