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Se trata de un artículo de la Ley n.o 1.
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Se trata de un artículo de la Ley n.o 1.

Se trata de un artículo de la Ley n.o 1.

Detalles del producto
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET de RF y MOSFET
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Voltaje - clasificado:
108,0 V
Paquete:
Envases
Configuración:
Fuente doble y común
Serie:
-
Figura de ruido:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
Se aplicará el código ISO/IEC 17046.
Voltaje - prueba:
50 V
El Sr.:
Ampleon los USA Inc.
Frecuencia:
Las emisiones de gases de efecto invernadero se aplican a las emisiones de gases de efecto invernade
Aumento:
20dB
Envase / estuche:
Se trata de un documento de expediente de la Comisión.
Actual - prueba:
1,3 A
Poder - salida:
900W
Tecnología:
ldmos
Grado actual (amperios):
2.8 μA
Número del producto de base:
Las condiciones de los contratos de trabajo
Pago y términos de envío
Las existencias
En stock
Método de envío
Las condiciones de los servicios de transporte aéreo y de transporte aéreo
Descripción
Se aplicará el método de ensayo de los datos de la prueba.
Condiciones de pago
Las condiciones de los productos incluidos en el presente Reglamento son las siguientes:
Descripción de producto
Se trata de un sistema de transmisión por radio de 50 V 1.3 A 400 MHz ~ 860 MHz 20 dB 900W SOT539B

Etiquetas:

Chip CI del transistor,

Microprocesador integrado,

Microprocesador integrado SMD

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