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Se trata de una prueba de la complejidad de los componentes.
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Se trata de una prueba de la complejidad de los componentes.

Se trata de una prueba de la complejidad de los componentes.

Detalles del producto
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET de RF y MOSFET
Estado del producto:
No está disponible
Tipo de montaje:
Montaje en chasis
Voltaje - clasificado:
65 V
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Configuración:
Fuente doble y común
Serie:
-
Figura de ruido:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
Se trata de un proyecto de investigación de la Comisión.
Voltaje - prueba:
28 V
El Sr.:
Ampleon los USA Inc.
Frecuencia:
2Las emisiones de gases de efecto invernadero se aplican a las emisiones de gases de efecto invernad
Aumento:
15.6dB
Envase / estuche:
Se trata de un proyecto de investigación de la Comisión.
Actual - prueba:
280 mA
Poder - salida:
155w
Tecnología:
ldmos
Grado actual (amperios):
-
Número del producto de base:
BLC9
Pago y términos de envío
Las existencias
En stock
Método de envío
Las condiciones de los servicios de transporte aéreo y de transporte aéreo
Descripción
El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero es el valor de las emisiones de gases de ef
Condiciones de pago
Las condiciones de los productos incluidos en el presente Reglamento son las siguientes:
Descripción de producto
Mosfet de RF 28 V 280 mA 2,5 GHz ~ 2,69 GHz 15,6 dB 155 W SOT-1275-3

Etiquetas:

Chip CI del transistor,

Microprocesador integrado,

Microprocesador integrado SMD

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