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Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
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Detalles del producto
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET de RF y MOSFET
Estado del producto:
Descatalogado en Digi-Key
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Voltaje - clasificado:
65 V
Paquete:
Envases
Configuración:
Fuente doble y común
Serie:
-
Figura de ruido:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
Se aplicará el método de clasificación de los productos.
Voltaje - prueba:
30 voltios
El Sr.:
Ampleon los USA Inc.
Frecuencia:
1.93 GHz ~ 2 GHz
Aumento:
15dB
Envase / estuche:
Se trata de un proyecto de investigación.
Actual - prueba:
370 mA
Poder - salida:
550W
Tecnología:
ldmos
Grado actual (amperios):
2.8 μA
Número del producto de base:
BLC10
Pago y términos de envío
Las existencias
En stock
Método de envío
Las condiciones de los servicios de transporte aéreo y de transporte aéreo
Descripción
El número de unidades de ensayo se calculará en función de las características de las unidades de en
Condiciones de pago
Las condiciones de los productos incluidos en el presente Reglamento son las siguientes:
Descripción de producto
Mosfet de RF 30 V 370 mA 1,93 GHz ~ 2 GHz 15 dB 550 W SOT1258-5

Etiquetas:

Chip CI del transistor,

Microprocesador integrado,

Microprocesador integrado SMD

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