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PXAE183708NB-V1-R2
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PXAE183708NB-V1-R2

PXAE183708NB-V1-R2

Detalles del producto
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET de RF y MOSFET
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Voltaje - clasificado:
65 V
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Serie:
-
Figura de ruido:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
Se trata de un producto de la familia de los derivados de la leche.
Voltaje - prueba:
28 V
El Sr.:
Wolfspeed, Inc.
Frecuencia:
1Las emisiones de gases de efecto invernadero se aplican a las emisiones de gases de efecto invernad
Aumento:
16dB
Envase / estuche:
Se trata de un producto de la familia de los derivados de la leche.
Actual - prueba:
800 mA
Poder - salida:
320W
Tecnología:
ldmos
Grado actual (amperios):
10µA
Número del producto de base:
PXAE183708 (incluida la descripción de las sustancias)
Pago y términos de envío
Las existencias
En stock
Método de envío
Las condiciones de los servicios de transporte aéreo y de transporte aéreo
Descripción
320W, SI LDMOS, 28V, 1805-1880MH
Condiciones de pago
Las condiciones de los productos incluidos en el presente Reglamento son las siguientes:
Descripción de producto
Mosfet de RF 28 V 800 mA 1,805 GHz ~ 1,88 GHz 16 dB 320 W PG-HB2SOF-8-1

Etiquetas:

Chip CI del transistor,

Microprocesador integrado,

Microprocesador integrado SMD

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