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Detalles del producto
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET de RF y MOSFET
Estado del producto:
No para nuevos diseños
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Voltaje - clasificado:
Las demás:
Paquete:
Envases
Configuración:
Fuente doble y común
Serie:
-
Figura de ruido:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
Se aplicará el código ISO/IEC 17046.
Voltaje - prueba:
50 V
El Sr.:
Ampleon los USA Inc.
Frecuencia:
1.03GHz
Aumento:
15.5dB
Envase / estuche:
Se trata de un documento de expediente de la Comisión.
Actual - prueba:
200 mA
Poder - salida:
de una potencia de 1000 W
Tecnología:
ldmos
Grado actual (amperios):
-
Número del producto de base:
BLA6
Pago y términos de envío
Las existencias
En stock
Método de envío
Las condiciones de los servicios de transporte aéreo y de transporte aéreo
Descripción
Se aplican las siguientes medidas:
Condiciones de pago
Las condiciones de los productos incluidos en el presente Reglamento son las siguientes:
Descripción de producto
RF Mosfet 50 V 200 mA 1,03 GHz 15,5 dB 1000W SOT539B

Etiquetas:

Chip CI del transistor,

Microprocesador integrado,

Microprocesador integrado SMD

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