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Detalles del producto
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET de RF y MOSFET
Estado del producto:
No está disponible
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Voltaje - clasificado:
65 V
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Serie:
-
Figura de ruido:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
Se trata de un proyecto de investigación de la Comisión.
Voltaje - prueba:
28 V
El Sr.:
Ampleon los USA Inc.
Frecuencia:
425 MHz ~ 450 MHz
Aumento:
19.5 dB
Envase / estuche:
Se trata de un proyecto de investigación de la Comisión.
Actual - prueba:
350 mA
Poder - salida:
200w
Tecnología:
ldmos
Grado actual (amperios):
4.2 μA
Pago y términos de envío
Las existencias
En stock
Método de envío
Las condiciones de los servicios de transporte aéreo y de transporte aéreo
Descripción
El número de unidades de producción de las que se trate será el siguiente:
Condiciones de pago
Las condiciones de los productos incluidos en el presente Reglamento son las siguientes:
Descripción de producto
Mosfeto de RF 28 V 350 mA 425 MHz ~ 450 MHz 19,5 dB 200 W SOT-1270-1

Etiquetas:

Chip CI del transistor,

Microprocesador integrado,

Microprocesador integrado SMD

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