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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.
  • Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.

Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.

Detalles del producto
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET de RF y MOSFET
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montaje en chasis
Voltaje - clasificado:
120 V
Paquete:
Envases
Serie:
GaN
Figura de ruido:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
440217
Voltaje - prueba:
40 V
El Sr.:
Wolfspeed, Inc.
Frecuencia:
8.4 GHz ~ 9.6 GHz
Aumento:
13.8 dB
Envase / estuche:
440217
Actual - prueba:
1 A
Poder - salida:
130W
Tecnología:
HEMT
Grado actual (amperios):
-
Pago y términos de envío
Las existencias
En stock
Método de envío
Las condiciones de los servicios de transporte aéreo y de transporte aéreo
Descripción
100W GAN HEMT 7.9-9.6GHz 50-OHM
Condiciones de pago
Las condiciones de los productos incluidos en el presente Reglamento son las siguientes:
Descripción de producto
Mosfet de RF 40 V 1 A 8,4 GHz ~ 9,6 GHz 13,8 dB 130 W 440217

Etiquetas:

Chip CI del transistor,

Microprocesador integrado,

Microprocesador integrado SMD

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