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012GN-300V
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012GN-300V

012GN-300V

Detalles del producto
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET de RF y MOSFET
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Voltaje - clasificado:
150 V
Paquete:
En bruto
Serie:
V
Figura de ruido:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
55-KR
Voltaje - prueba:
50 V
El Sr.:
Tecnología de microchips
Frecuencia:
960 MHz ~ 1,215 GHz
Aumento:
18dB
Envase / estuche:
55-KR
Actual - prueba:
60 mA
Poder - salida:
300W
Tecnología:
HEMT
Grado actual (amperios):
-
Pago y términos de envío
Las existencias
En stock
Método de envío
Las condiciones de los servicios de transporte aéreo y de transporte aéreo
Descripción
TRAN, GAN, 960-1215 MHZ, 300W, 5
Condiciones de pago
Las condiciones de los productos incluidos en el presente Reglamento son las siguientes:
Descripción de producto
Mosfet de RF 50 V 60 mA 960 MHz ~ 1,215 GHz 18 dB 300 W 55-KR

Etiquetas:

Chip CI del transistor,

Microprocesador integrado,

Microprocesador integrado SMD

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