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Detalles del producto
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET de RF y MOSFET
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montaje en chasis
Voltaje - clasificado:
125 V
Paquete:
Cintas y bobinas (TR) Banda cortante (TC) Digi-Reel®
Serie:
GaN
Figura de ruido:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
H-36248-2
Voltaje - prueba:
50 V
El Sr.:
Wolfspeed, Inc.
Frecuencia:
960 MHz ~ 1,215 GHz
Aumento:
20dB
Envase / estuche:
H-36248-2
Actual - prueba:
100 mA
Poder - salida:
890W
Tecnología:
HEMT
Grado actual (amperios):
-
Número del producto de base:
GTVA107001
Pago y términos de envío
Las existencias
En stock
Método de envío
Las condiciones de los servicios de transporte aéreo y de transporte aéreo
Descripción
700W GAN HEMT 50V FET de 0,9-1,2 GHz
Condiciones de pago
Las condiciones de los productos incluidos en el presente Reglamento son las siguientes:
Descripción de producto
Mosfeto de RF 50 V 100 mA 960 MHz ~ 1,215 GHz 20 dB 890 W H-36248-2

Etiquetas:

Chip CI del transistor,

Microprocesador integrado,

Microprocesador integrado SMD

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