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Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
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Los datos de las pruebas de seguridad deberán estar disponibles en el sitio web de la autoridad competente.
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Detalles del producto
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET de RF y MOSFET
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montaje en chasis
Voltaje - clasificado:
65 V
Paquete:
Envases
Configuración:
Dual
Serie:
-
Figura de ruido:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
DFM6
Voltaje - prueba:
30 voltios
El Sr.:
Ampleon los USA Inc.
Frecuencia:
1Las emisiones de gases de efecto invernadero se aplican a las emisiones de gases de efecto invernad
Aumento:
15.6dB
Envase / estuche:
Se trata de un proyecto de investigación.
Actual - prueba:
300 mA
Poder - salida:
300W
Tecnología:
ldmos
Grado actual (amperios):
-
Número del producto de base:
BLC10
Pago y términos de envío
Las existencias
En stock
Método de envío
Las condiciones de los servicios de transporte aéreo y de transporte aéreo
Descripción
Los datos de las pruebas de seguridad de los equipos de ensayo deberán estar disponibles en el sitio
Condiciones de pago
Las condiciones de los productos incluidos en el presente Reglamento son las siguientes:
Descripción de producto
Mosfet de RF 30 V 300 mA 1,805 GHz ~ 1,88 GHz 15,6 dB 300 W DFM6

Etiquetas:

Chip CI del transistor,

Microprocesador integrado,

Microprocesador integrado SMD

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