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Detalles del producto
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET de RF y MOSFET
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Voltaje - clasificado:
125 V
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Serie:
GaN
Figura de ruido:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
H-87265J-2
Voltaje - prueba:
48 voltios
El Sr.:
Wolfspeed, Inc.
Frecuencia:
2.62 GHz ~ 2.69 GHz
Aumento:
17dB
Envase / estuche:
H-87265J-2
Actual - prueba:
320 mA
Poder - salida:
270W
Tecnología:
HEMT
Grado actual (amperios):
-
Número del producto de base:
GTVA262701 y sus derivados
Pago y términos de envío
Las existencias
En stock
Método de envío
Las condiciones de los servicios de transporte aéreo y de transporte aéreo
Descripción
270W, GAN HEMT, 48V, 2496-2690MH. No se puede hacer más que con la ayuda de un equipo de seguridad.
Condiciones de pago
Las condiciones de los productos incluidos en el presente Reglamento son las siguientes:
Descripción de producto
Mosfet de RF 48 V 320 mA 2,62 GHz ~ 2,69 GHz 17 dB 270 W H-87265J-2

Etiquetas:

Chip CI del transistor,

Microprocesador integrado,

Microprocesador integrado SMD

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