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Detalles del producto
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET de RF y MOSFET
Estado del producto:
No está disponible
Voltaje - clasificado:
65 V
Paquete:
En bruto
Serie:
-
Figura de ruido:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
-
Voltaje - prueba:
50 V
El Sr.:
Soluciones de la tecnología de MACOM
Frecuencia:
1Las señales sonoras de los dispositivos de radiofrecuencia
Aumento:
18.4 dB
Envase / estuche:
-
Actual - prueba:
100 mA
Poder - salida:
125W
Tecnología:
HEMT
Grado actual (amperios):
4.8A
Pago y términos de envío
Las existencias
En stock
Método de envío
Las condiciones de los servicios de transporte aéreo y de transporte aéreo
Descripción
Transistor GAN 125W de 1,2 a 1,4 GHz
Condiciones de pago
Las condiciones de los productos incluidos en el presente Reglamento son las siguientes:
Descripción de producto
RF Mosfet 50 V 100 mA 1.2GHz ~ 1.4GHz 18.4dB 125 W

Etiquetas:

Chip CI del transistor,

Microprocesador integrado,

Microprocesador integrado SMD

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