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Los datos de las pruebas de seguridad de los equipos de ensayo se deben incluir en la lista de datos de ensayo de los equipos.
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Detalles del producto
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET de RF y MOSFET
Estado del producto:
No está disponible
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Voltaje - clasificado:
65 V
Paquete:
Envases
Configuración:
Fuente doble y común
Serie:
-
Figura de ruido:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
Se aplicará el código ISO/IEC 17046.
Voltaje - prueba:
32 V
El Sr.:
Ampleon los USA Inc.
Frecuencia:
1.81 GHz ~ 1.88 GHz
Aumento:
16.2 dB
Envase / estuche:
Se trata de un proyecto de investigación.
Actual - prueba:
800 mA
Poder - salida:
570w
Tecnología:
ldmos
Grado actual (amperios):
-
Número del producto de base:
BLC9
Pago y términos de envío
Las existencias
En stock
Método de envío
Las condiciones de los servicios de transporte aéreo y de transporte aéreo
Descripción
El valor de las emisiones de CO2 de las emisiones de CO2 de los combustibles fósiles se calculará en
Condiciones de pago
Las condiciones de los productos incluidos en el presente Reglamento son las siguientes:
Descripción de producto
Mosfet de RF 32 V 800 mA 1,81 GHz ~ 1,88 GHz 16,2 dB 570 W SOT1258-4

Etiquetas:

Chip CI del transistor,

Microprocesador integrado,

Microprocesador integrado SMD

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